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珠海炬力筆試題和面試題答案目

更新:2023-09-18 20:33:09 高考升學網(wǎng)

一、選擇題

  1.降低NMOS的開啟電壓VT的方法,哪種無效?

  A.減少襯底的P型摻雜濃度

  B.減少氧化層厚度

  C.增加源漏極的N型摻雜濃度

  D.減少溝道長度

  2.IO PAD 的設(shè)計,一般不常考慮的因素

  A.ESD特性

  B.驅(qū)動能力

  C.施密特觸發(fā)器

  D.襯偏效應(yīng)

  3.邏輯電路低功耗設(shè)計中,無效的方法

  A.采用慢速設(shè)計

  B.減少信號翻轉(zhuǎn)

  C.減少IC面積

  D.采用較慢速的時鐘。

二、問答題

  1.寫出序列探測器“11000”的RTL代碼。

  2.分析一個CMOS電路的邏輯功能(同或門)。

  3.分析一個CMOS電路的邏輯功能(三態(tài)門)。

  4.畫出全加器的CMOS電路,說明延時的估算方法。

  5.A,B為兩個時鐘,頻率差最小為1/8。如果A的頻率高,C="0";否則C="1";編程實現(xiàn)。

  6.編程實現(xiàn)FIR濾波器,系數(shù)為C0,C1,C2,C3,C2,C1,C0。輸入DI,輸出DO。系數(shù)和DI均為8比特。

  7.一個圓盤,一半黑,一半白。有兩個探測器,用1表示白,0表示黑。設(shè)計一個電路,可以探測出圓盤是順時針轉(zhuǎn)動還是逆時針轉(zhuǎn)動

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